Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb 3200MHz M471A1K43EB1-CWE OEM PC4-25600 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В original single rank
Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb 3200MHz M471A1K43EB1-CWE OEM PC4-25600 CL19 SO-DIMM 260-pin 1.2В original single rank
-
CAS Latency (CL)22
-
RAS to CAS Delay (tRCD)22
-
Row Precharge Delay (tRP)22
-
Гарантия3 года
-
Количество контактов260
-
Количество модулей в комплекте (шт)1
-
Количество чипов на модуле8
-
Компоновка чипов на модулеДвусторонняя
-
Линейка-
-
МодельM471A1K43EB1-CWE
-
Напряжение (В)1.2
-
НизкопрофильнаяНет
-
Общий объем памяти (ГБ)8
-
Объем одного модуля (ГБ)8
-
Поддержка ECCНет
-
Поддержка RegНет
-
Поддержка водяного охлажденияНет
-
ПодсветкаНет
-
ПроизводительSamsung
-
Пропускная способность (МБ/с)25600
-
РадиаторНет
-
Страна-производительФилиппины
-
Тайминги22-22-22
-
Тип памяти DDRDDR4
-
Тип оборудованияОперативная память
-
Тип памятиSO-DIMM
-
ЦветЗеленый
-
Частота (MHz)DDR4 - 3200
-
Чип1Gb x 8-bit
-
длина(см)15,00
-
ширина(см)4,00
-
высота(см)1,00
-
масса(кг)0,06
-
сайт производителя