Модуль памяти Samsung DDR5 32GB RDIMM 5600 Mbps (2Rx8) ECC Reg 1.1V (M321R4GA3EB0-CWM),
Модуль памяти Samsung DDR5 32GB RDIMM 5600 Mbps (2Rx8) ECC Reg 1.1V (M321R4GA3EB0-CWM),
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)-
-
CAS Latency (CL)46
-
RAS to CAS Delay (tRCD)-
-
Row Precharge Delay (tRP)-
-
Вес (грамм)-
-
Высота (мм)-
-
Габариты (мм)-
-
Гарантия1 год
-
Дополнительная информация-
-
Количество контактов288
-
Количество модулей в комплекте (шт)1
-
Количество товара в УЕИ1
-
Количество чипов на модуле-
-
Комплектация-
-
Компоновка чипов на модулеДвусторонняя
-
Линейка-
-
МодельM321R4GA3EB0-CWM
-
Название серии-
-
Напряжение (В)1.1
-
НизкопрофильнаяНет
-
Нормальная операционная температура (Tcase)-
-
Общий объем памяти (ГБ)32
-
Объем одного модуля (ГБ)32
-
Поддержка ECCЕсть
-
Поддержка RegЕсть
-
Поддержка водяного охлаждения-
-
ПодсветкаНет
-
Потребление энергии-
-
ПроизводительSamsung
-
Пропускная способность (МБ/с)44800
-
РадиаторНет
-
Расширенная операционная температура (Tcase)-
-
Страна-производительВьетнам
-
Тайминги-
-
Тип памяти DDRDDR5
-
Тип оборудованияОперативная память
-
Тип памятиDIMM
-
Тип поставкиOEM
-
ЦветЗеленый
-
Частота (MHz)DDR5 - 5600
-
Чип-
-
длина(см)13,50
-
ширина(см)0,50
-
высота(см)3,30
-
масса(кг)0,08
-
сайт производителя