Модуль памяти Samsung DDR4 128GB LRDIMM 3200 1.2V 4Rx4 M386AAG40BM3-CWEZY
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)-
-
CAS Latency (CL)-
-
RAS to CAS Delay (tRCD)-
-
Row Precharge Delay (tRP)-
-
Вес (грамм)-
-
Высота (мм)-
-
Габариты (мм)-
-
Гарантия3 года
-
Дополнительная информация-
-
Количество контактов288
-
Количество модулей в комплекте (шт)1
-
Количество чипов на модуле-
-
Компоновка чипов на модуле-
-
ЛинейкаM386
-
МодельM386AAG40BM3-CWEZY
-
Напряжение (В)1,1
-
НизкопрофильнаяНет
-
Нормальная операционная температура (Tcase)-
-
Общий объем памяти (ГБ)128
-
Объем одного модуля (ГБ)128
-
Поддержка ECCЕсть
-
Поддержка RegЕсть
-
Поддержка водяного охлажденияНет
-
ПодсветкаНет
-
Потребление энергии-
-
ПроизводительSamsung
-
Пропускная способность (МБ/с)25600
-
РадиаторНет
-
Расширенная операционная температура (Tcase)-
-
Страна-производительКорея, республика
-
Тайминги-
-
Тип памяти DDRDDR4
-
Тип оборудованияОперативная память
-
Тип памятиDIMM
-
Тип поставкиOEM
-
ЦветЗеленый
-
Частота (MHz)DDR4 - 3200
-
Чип-
-
длина(см)13,50
-
ширина(см)0,40
-
высота(см)3,10
-
масса(кг)0,10